Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
近日，复旦大学团队研发出一种名为“破晓（PoX）”的皮秒级闪存器件，其擦写速度达到亚纳秒级别，比现有技术快1万倍，数据保存年限据实验外推可达十年以上。相关研究成果已登上国际顶级期刊《Nature》。该项目由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院的周鹏-刘春森团队完成。周鹏教授现任复旦大学微电子学院副院长，长期致力于集成电路新材料与新器件的研究。刘春森博士为青年研究员，与周鹏教授共同担任论文通讯作者。传统闪存器件中，硅材料的性能受限于电子有效质量和声子散射等因素，导致热载流子注入效率
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复旦大学 闪存
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列
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兆易创新 QSPI NAND
近日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
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兆易创新 Flash NAND
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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内存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
据韩媒报道，根据SK海力士向韩国金融监管机构FSS披露的文件，该企业已完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第二阶段，交易正式完成。据了解，第一阶段完成于2021年12月30日，SK海力士当时支付了78422亿韩元，从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。而在第二阶段中，SK海力士以32783亿韩元（约合人民币163亿元）的对价取得了包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工在内的其余相关有形/无形资产。
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SK海力士 英特尔 NAND
AI推论快速成长，QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND，QLC具备更高存储密度与更低成本，适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析，台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂，有望从中受惠。根据调研机构预测，2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb，占NAND总产能的22.2%，渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据，而这类应用访问模式以读取为主，写入频率相对较低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
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AI推理 QLC NAND Flash
存储市场新一轮的逆风，始于 2024 年下半年。迈入 2025 年 3 月，市场已显露出一些微妙变化。NAND 厂商，集体涨价近日，全球知名存储芯片厂商闪迪向客户发出涨价函，宣布自 4 月 1 日起，旗下产品将全面涨价，整体涨幅超 10%，此次调价覆盖所有渠道及消费类产品。闪迪还透露，将持续审查定价，后续季度或有额外涨幅。继闪迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 厂商也计划将于 4 月涨价。从供应方面，美光今年新加坡 NAND 厂发生停电，也影响了供货。NAND Flash 控制芯片厂商群联也透露，
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NAND
NAND Flash价格由谷底翻涨正蓄势待发，继SanDisk日前发函通知4月1日将调涨报价，近期市场传出，美光（Micron）、三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中国的存储厂均将从4月起提高报价。由于二大韩厂减产措施发酵，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，长江存储旗下SSD品牌也将于4月起调涨代理价格，涨幅可望将超过10%，全球各大原厂不约而同推动涨价，NAND价格回涨速度优于原先预期。存储器业界观察，近期整体终端市场的需求并
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美光 NAND
SK海力士将于2025年3月（协议预设的最早时间点）支付收购尾款，完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成，将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位，尤其是企业级固态硬盘（SSD）方面。随着AI技术的普及和应用，存储需求正在不断增长，HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐，这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务；· 2021年12月，第一阶段的交易完成，SK海力士支付70亿
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SK海力士 英特尔 NAND 闪存
近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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三星 长江存储 NAND 混合键合 晶栈 Xtacking 闪存
NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash
当地时间2月24日，NAND Flash厂商西部数据（Western Digital ）正式宣布，已成功完成对闪存业务的分拆计划。图片来源：西部数据据悉，分拆后的闪存业务将重新以独立的闪迪（Sandisk）公司名义运营，由原西部数据CEO David Goeckeler转任闪迪CEO，而西部数据则将再次专注于机械硬盘HDD业务，由现任全球运营执行副总裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部数据以190亿美元的高价收购了闪迪，并在2020年将闪存与HDD整合成两大独立业务部门。不过在2022年，存
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存储大厂 闪存 西部数据
据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
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自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%。两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8G
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