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nand 闪存 文章 进入nand 闪存技术社区

美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

  • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
  • 关键字: 美光  QLC NAND  

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告,预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告,地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙,设施、基建和生产工具未遭受永久性损害,长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时,美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产,但得
  • 关键字: DRAM  闪存  美光  

群联3月营收年增73%,创历史单月新高纪录

  • 近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字: 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND,1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: NAND Flash  存储芯片  铠侠  

3D NAND,1000层竞争加速!

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: 3D NAND  集邦咨询  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%,Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字: TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

毫米波传感器支持的闪存型号

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓

  • 月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
  • 关键字: 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  

2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%:三星增长 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨询近日发布市场研究报告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元,环比增长 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨,预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星(Samsung)增长幅度最高,主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%,平均销售价格环比增加 12%,带动营收上升至 42 亿美元,环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团(SK Group)受惠于价
  • 关键字: NAND 闪存  存储  市场分析  

西部数据发布公告:今年年底前完成闪存和硬盘业务分拆

  • IT之家 3 月 6 日消息,西部数据近日发布公告,宣布分拆硬盘和闪存业务上取得了重大进展,并会按期在 2024 年年底前完成分拆,并公布了分拆之后亮相业务的主要负责人。图源:西部数据IT之家于 2023 年 10 月报道,西部数据由于铠侠合并未果,宣布分拆为两家独立上市公司,专注于硬盘和闪存市场。西部数据表示分拆两项业务,能更好地执行创新技术和产品开发,利用独特的增长机会,扩大各自的市场领导地位,并通过不同的资本结构更有效地运营。西部数据在新闻稿中表示,本次拆分已取得重大进展,包括全球法律实体
  • 关键字: 西部数据  硬盘  闪存  

1年利润暴跌84.9%!三星乐观 今年业绩回暖:存储涨价是开始

  • 2月1日消息,存储一哥三星2023年的日子不太好过,全年利润暴跌84.9%,确实没办法,不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷,尤其是存储芯片价格暴跌的背景下,三星全年营收为258.94万亿韩元,同比减少14.3%;营业利润为6.57万亿韩元,同比下滑84.9%。按照三星的说法,2024年上半年业绩会回暖,其中以存储产品价格回暖最为明显,相关SSD等产品涨价不会停止,只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字: 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字: NAND Flash  

预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是,NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高,需求脚步却跟不上,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一,随着部份供应商产能利用率提早拉升
  • 关键字: NAND Flash  TrendForce  

SSD 正迎来量价齐升

  • 2023 已近尾声,跌跌不休的存储行情终在四季度发生逆转,尤其以 Flash Wafer 为代表的产品在 9 月、10 月、11 月的价格连续上涨,站在目前的时间节点,虽然从需求端看完全改善还需时日,但在各大原厂积极减产的作用下,供应已经大幅度收紧。根据 CFM 闪存市场数据,自 10 月份以来,现货市场 NAND Flash 价格指数涨幅已达 40%。近日西部数据更是直接打响了 NAND 大涨价的第一枪。NAND 大涨价!近日,全球第四大 NAND Flash 供应商西部数据对客户发出涨价通知信。在信中
  • 关键字: SSD  NAND  

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  
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nand 闪存介绍

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